活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響 1
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響
以糠醛渣碳粉為原料,配以一定比例的粘結劑和增強材料,制備出了可用于煙氣脫硫的蜂窩狀活性炭,考察了活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響.結果表明:隨著活化溫度的升高,樣品的比表面積增大,類石墨微晶尺寸減小,類石墨有序結構逐漸變得無序成為亂層石墨結構,樣品的脫硫能力增大.
華堅,HUA Jian(四川大學輕紡與食品學院,成都,610065)
尹華強,YING Hua-qiang(四川大學建筑與環境學院,成都,610065)?
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份擴展閱讀
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展1)
——微波改性活性炭及其脫硫性能研究實用一份
微波改性活性炭及其脫硫性能研究 1
蔣文舉,Jiang Wenju(四川大學,建筑與環境學院,四川,成都,610065)?
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展2)
——活性炭改性對濾嘴吸附性能的影響范文1份
活性炭改性對濾嘴吸附性能的影響 1
活性炭改性對濾嘴吸附性能的影響
采用物理吸附儀對活性炭孔結構及比表面積進行表征,運用Boehm滴定法分析了活性炭改性前后表面酸性和酸性分布,并用X射線能譜儀對活性炭氧化改性前后氧元素含量進行了半定量分析,以期揭示活性炭物理、化學性質對濾嘴吸附性能的影響.研究結果表明:隨著濾嘴中活性炭添加量的增加,濾嘴對煙氣的吸附性能越高,在不顯著增加香煙吸阻的前提下,選擇30mg/g為濾嘴中活性炭最佳添加量;活性炭比表面積越高、孔容越大、酸性越強,濾嘴對香煙主流煙氣的吸附性能越好.與普通醋酸纖維濾嘴相比,HNO3改性活性炭的濾嘴對尼古丁和焦油的吸附能力分別提高25.6%和8.8%.
呂春祥,李永紅,LU Chun-xiang,LI Yong-hong(**科學院,炭材料重點實驗室,**科學院,山西煤炭化學研究所,山西,太原,030001)?
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展3)
——退火溫度對薄膜的微結構和形貌的影響論文實用一份
退火溫度對薄膜的微結構和形貌的影響論文 1
退火溫度對薄膜的微結構和形貌的影響論文
摘 要:采用等離子氧化金屬薄**制備了HfO2柵介質薄膜,并研究了HfO2柵介質薄膜的微結構和表面形態隨退火溫度的變化而發生的變化規律。研究表明:隨著退火溫度的升高,HfO2薄膜的晶體結構發生了變化,從沉積時的非晶態過渡到晶態,從四方轉變到四方和單斜相共存,最后又過渡到單斜相。掃描電鏡分析表明隨著退火溫度的升高,HfO2薄膜的內部結構趨向致密與平整。
關鍵詞:HfO2薄膜; 等離子氧化; 微結構; 形貌
1 引言
隨著微電子技術的飛速發展,MOSFET 特征尺寸按摩爾定律不斷縮小,作為柵介質層SiO2 的厚度迅速接近它的物理極限,以此為背景應用于下一代MOSFET 的高介電柵介質材料成為當今微電子材料的研究熱點。HfO2是目前最***在下一代CMOS工藝中代替SiO2的柵材料。HfO2不僅具有適中的介電常數值(~25),可以在不過度提高柵氧化物堆棧高度的情況下獲得所需的等效Si02厚度(EOT) ;而且具有相當高的禁帶寬度,對Si的導帶偏移△Ec大于1 eV,在與柵電極和Si襯底接觸時能保持較大的接觸勢壘, 該特性是大部分高k材料不具備的。高的勢壘可有效地阻止電子(或空穴)的Schottky穿過,即降低了超薄膜的隧穿電流。HfO2在能帶結構上很好地滿足了高k材料的選擇標準。
2 實驗
實驗所用的襯底為單面拋光的P 型單晶Si(100),阻值4~12Ωcm, 在硅襯底上沉積HfO2 之前,我們對襯底進行了標準的清洗和高壓電離清洗。磁控濺射系統的本底真空小于2×10-4Pa, 濺射的鉿靶純度為99.99%,濺射的氣體為高純度的Ar(99.999%),直流濺射的功率為40W,濺射氣壓達3.5Pa,濺射時間5min, 所獲取的金屬鉿膜轉移到等離子體增強化學氣相沉積腔室中,經換位等離子體氧化直接得到Hf2薄膜;等離子體氧化時所設實驗參數為,通入的Ar:O2=6:1,工作氣壓19Pa, 工作功率200W,襯底盤溫度設置為400oC,氧化時間30min。沉積態的HfO2 薄膜經500-900oC的O2 或N2的快速熱退火,時間為5min,獲得所需樣品。利用X 射線衍射儀對樣品的結構進行分析,掃描電子顯微鏡對樣品的形貌進行觀察。
3 結果與討論
3.1 HfO2 薄膜的結構分析
沉積態的薄膜沒有衍射峰,呈明顯的'非晶態,表明等離子氧化未導致薄膜的晶化。氧氛圍500°C退火明顯看到了HfO2薄膜呈現晶化的趨勢。2θ=30.3o弱的衍射峰出現了,對應為四方結構的HfO2,這一結果和 D.A.Neumayer 報道的HfO2的晶化溫度非常接近。繼續提高退火溫度,發現HfO2 的物相結構發生變化。對應單斜相結構的HfO2的(-111)晶面的衍射峰開始出現在600°C的退火樣品中,薄膜開始由單一的四方相向四方和單斜共存的多晶轉變。隨著退火溫度的進一步升高,四方相的HfO2消失,取而代之的是全部的單斜相。一般來說,HfO2在常壓下呈單斜相,諸如四方、立方、正交等晶相只有在高壓或高溫情況下才能穩定存在。然而很多文獻觀察到在一定生長條件下,這些亞穩相被“凍結”而出現在薄膜中,500°C氧化的樣品中出現的這種現象與之類似。HfO2的物相結構隨著退火溫度的變化表明了: 四方相的HfO2是低溫退火時的一個亞穩相,具有較大的不穩定性。單斜相的HfO2是高溫態的穩定相。由此可見退火溫度是決定HfO2 薄膜結構的重要參數。 ? 3.2 HfO2薄膜的形貌分析
我們利用(FE-SEM) (JEOL JSM-6700F) 掃描電鏡觀察了不同熱處理溫度下的HfO2/Si 柵介質薄膜的表面形貌特征。沉積態的HfO2 薄膜是有許多顆粒組成的,且薄膜表面還有許多空洞,且明顯的看到垂直于表面方向的粗糙很大。如此粗糙的表面形貌和小空洞的存在說明HfO2 薄膜很可能是島狀成核生長的。隨著退火溫度升高,HfO2 薄膜表面趨向于平整,且小空洞隨之消失,伴隨著小顆粒的長大。這是因為外界的熱處理過程中,表面原子徒動能增加,促進了原子在HfO2 薄膜表面的移動,當原子移動到表面臺階缺陷位置時,(如沉積態下的空洞), 便容易停留在那里。大量的原子的徒動最終倒置了粗糙的薄膜表面趨于平整。
以上也可以根據Chen 和Mackenize 的形核理論進行解釋。形核過程包括晶核的形成和長大。形核率表示為:
dN/dt=Noexp(-ΔGN/RT)(1)
這里No 是常數,N 是晶核形成數量,ΔGN 是吉布斯**能的改變。晶核的生長速率表示為:
U=Uoexp(-ΔEu/RT)(2)
Uo 是常數,Eu **晶核生長的激活能。對于沉積態的樣品,400°C 低溫等離子氧化,外界提供的熱能不能滿足吉布斯**能的改變量,因此,低溫等離子氧化,基底溫度低,吸附原子在表面擴散速率不足,不能導致薄膜內的晶核生長與形成。當600°C 退火時,形核條件已經滿足,晶核開始產生。薄膜襯底間界面上以及許多種類的缺陷(氣孔和氧空位)都可成為薄膜內部HfO2 結晶的形核地址。如果這些缺陷集中在某些區域,那么,這些區域就成為晶核析出的優先區。隨著退火溫度的進一步升高,形核率按(3-1)式呈非線性上升,同時晶核生長速率也增加。大量的晶核再結合其他吸附原子長大成島,島再結合其他的吸附氣相原子逐漸形成了均勻的HfO2 薄膜。因此我們可以得出結論:HfO2 薄膜隨著后退火溫度的升高經歷了由非晶態到晶態的轉變;這一結果和前面的XRD 的結論是一致的。
參考文獻
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活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展4)
——變形溫度和冷卻速度對TA15合金**性能的影響研究范文1份
變形溫度和冷卻速度對TA15合金**性能的影響研究 1
樊立偉,解向軍,FAN Li-wei,XIE Xiang-jun(**人民***駐沈陽飛機工業(集團)有限公司,軍事**室,遼寧,沈陽,110034)?
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展5)
——次氯酸鈉對池塘微宇宙結構和功能的影響范文一份
次氯酸鈉對池塘微宇宙結構和功能的影響 1
摘要:活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展6)
——焙燒溫度對Co3O4常溫氧化CO催化性能的影響優選【一】份
焙燒溫度對Co3O4常溫氧化CO催化性能的影響 1
焙燒溫度對Co3O4常溫氧化CO催化性能的影響
采用液相沉淀法制備了Co3O4催化劑,用XRD、IR、TEM、CO滴定等表征技術和連續流動微反裝置,考察了焙燒溫度對Co3O4催化劑結構和催化性能的影響.結果表明,在研究的溫度范圍內催化劑均以單一的尖晶石結構存在,具有良好的CO氧化催化活性,經300℃焙燒的催化劑具有高的分散狀態,有利于活性氧物種的形成和反應,在空速5000 h-1,CO體積分數0.5%的反應條件下常溫可將CO完全轉化500 min.焙燒溫度高于或低于300℃均引起常溫CO氧化性能的下降.通過對催化劑的抗水性試驗和失活前后的XPS表征發現,催化劑的活性下降不是由于Co的價態變化引起的,而是由于水蒸氣中毒.
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展7)
——生長溫度對納米氧化鋅場發射性能的影響優選【一】篇
生長溫度對納米氧化鋅場發射性能的影響 1
生長溫度對納米氧化鋅場發射性能的影響
采用鋅粉和銀粉為蒸發源,用熱蒸發法不同溫度下制備了四針狀納米氧化鋅,并以單獨的鋅粉做對照.采用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察其形貌,X射線衍射(XRD)譜表征其晶體結構.采用絲網印刷方法將其制備為場致電子發射陰極,將陰極與印刷有熒光粉的陽極板組裝成二極結構場致發射顯示屏,并進行了場致電子發射特性對比實驗.結果表明較高溫度制備的氧化鋅具有較好的場致發射性能;摻雜銀粉的蒸發源制備的樣品的發射性能明顯優于沒有摻雜銀粉的樣品.實驗證明ZnO是一種優良的場致發射冷陰極材料,在真空電子方面具有廣闊的應用前景.
丁美斌,DING Mei-bin(合肥工業大學,理學院,安徽,合肥,230009)?
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展8)
——礦化劑對鋁酸鈣粉的結構與光譜性能的影響實用一份
礦化劑對鋁酸鈣粉的結構與光譜性能的影響 1
摘要:研究了礦化劑對制備鋁酸鈣粉的結構與性能的影響.研究中以鋁礬土和石灰石為原料,加入一定量的礦化劑,混合均勻,經高溫煅燒制得鋁酸鈣粉.借助于紅外光譜、X射線粉末衍射、差熱-熱重分析等**對不同原料的鋁酸鈣粉的結構、組成及性能進行了表征和研究,并對礦化劑在合成鋁酸鈣中的礦化機理進行探討.研究表明:加入礦化劑后,可在更低溫度條件下煅燒制備出鋁酸鈣粉,有利于節能減排.紅外光譜分析、XRD分析、DTA-TG分析顯示:未加礦化劑煅燒時,生成的產物主要是Ca3Al10O18,CaAl2Si2O8.加入礦化劑后煅燒生成的產物主要是易浸出Al2O3的CaAl3BO7和Ca3Al10O18,而不易浸出Al2O3的CaAl2Si2O8的含量**降低.同時顯示,加入礦化劑后,原料中的方解石(CaCO3)分解更容易;CaCO3與鋁礬土反應更充分;更有利于促使鋁礬土中的Al-Si鍵斷裂,將鋁礬土中的Al**出來;并可降低鋁酸鈣的煅燒溫度.研究還顯示:加入礦化劑后,可以改變原產物的晶體結構與成分,有利于降低煅燒反應溫度. 作者: 鄭懷禮[1]??劉君玉[2]??李林濤[2]??李方[3] Author: 作者單位: 重慶大學三峽庫區生態環境教育部重點實驗室,重慶,400045重慶大學化學化工學院,重慶,400044四川大學化學學院,四川,成都,610064 期 刊: 光譜學與光譜分析 ? ISTICEISCIPKU Journal: SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ****YSIS 年,卷(期): 2009,?29(11) 分類號: X24 O723 關鍵詞: 鋁酸鈣粉結構 ?? 礦化劑 ?? 光譜性能 ?? 礦化機理 ?? 機標分類號: TQ1 X78 機標關鍵詞: 礦化劑????鋁酸鈣粉????結構與性能????光譜性能????Spectral Properties????Structures????Influence????鋁礬土????煅燒溫度????紅外光譜分析????不同原料????射線粉末衍射????產物????結構與成分????CaCO3????Al2O3????制備????溫度條件????生成????燒制 基金項目: 國家自然科學基金項目,重慶市自然科學基金重點項目,重慶大學三峽庫區生態環境教育部重點實驗室訪問學者基金 礦化劑對鋁酸鈣粉的結構與光譜性能的'影響[期刊論文]??光譜學與光譜分析 --2009,?29(11)鄭懷禮??劉君玉??李林濤??李方研究了礦化劑對制備鋁酸鈣粉的結構與性能的影響.研究中以鋁礬土和石灰石為原料,加入一定量的礦化劑,混合均勻,經高溫煅燒制得鋁酸鈣粉.借助于紅外光譜、X射線粉末衍射、差熱-熱重分析等**對不同原料的鋁酸鈣粉的結構、組...活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展9)
——精制玉屏風散對仔豬免疫功能和生長性能的影響范文一份
精制玉屏風散對仔豬免疫功能和生長性能的影響 1
精制玉屏風散對仔豬免疫功能和生長性能的影響
在飼料中添加精制玉屏風散觀察其對斷奶仔豬的免疫功能和生長性能的影響.結果表明,添加高劑量(質量分數為0.8%)玉屏風散組仔豬的日增重、補體(C3、C4)和免疫球蛋白(IgA、IgM、IgG)含量均比其他組有顯著提高(P<0.05);血清中淋巴細胞陽性率、白介素(IL-2)和γ-干擾素含量、T淋巴細胞亞群(CD3、CD4、CD8)數量均比對照組有顯著提高(P<0.05),而CD4/CD8值有極顯著提高(P<0.01).表明玉屏風散在一定程度上可以改善仔豬的生產性能,提高機體的免疫功能,是一個較為理想的免疫增強劑.
謝紅兵,XIE Hong-bing(河南科技學院動物科學學院,河南,新鄉,453003)
陳勤光,CHEN Qin-guang(南平市豬業發展有限公司,福建,南平,353000)?
活化溫度對蜂窩狀活性炭結構和脫硫性能的影響范文一份(擴展10)
——酚類分子結構和納濾膜特性對截留率的影響規律范文一份
酚類分子結構和納濾膜特性對截留率的影響規律 1
酚類分子結構和納濾膜特性對截留率的影響規律
選擇21種酚類化合物作為模型污染物,分別測定了三種不同納濾膜對酚類化合物的截留率.結果表明,酚類化合物截留率受到取代基位置、種類和膜特性的影響.對NF270膜和NF膜而言,截留率從大到小的次序為鄰位>間位>對位,而NF90膜的截留率為鄰位>對位;供電子取代基有增大截留率的趨勢,吸電子取代基有減小截留率的趨勢;孔徑小、荷電量大的納濾膜截留率更大.通過基于遺傳算法的偏最小二乘回歸法(GA-PLS),建立了納濾膜對酚類化合物截留率的定量構效關系模型,通過分析回歸方程,可以看出酚類化合物的pKa值對截留率影響最大,影響較大的還有偶極矩等參數.